HESDNC12VB2I-C_SOT-23_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/圆盘 参数1：IPP:5A 参数2：VRWM:12V 参数3：CJ:12pF 参数4：LINE:2-channel 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该静电与浪涌保护器件采用双通道双向设计，适用于多线路信号防护。反向工作电压（VRWM）为12V，可承受5A的峰值脉冲电流（IPP），具备良好的瞬态电压抑制能力。每通道结电容（CJ）低至12pF，有利于减少信号失真，适合用于高速数据传输接口的ESD保护。双向结构能有效应对正负双向瞬态干扰，广泛应用于便携式电子设备和通信模块中的电源轨、数据线及I/O端口的过压防护，提升系统运行的稳定性与可靠性。
