HXY49N05T_TO-263_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：800/圆盘 参数1：ID:49A 参数2：VDSS:55V 参数3：RDON:9mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管具有55V漏源电压（VDSS）和20V栅源电压（VGS）能力，持续漏极电流可达49A（ID），导通电阻低至9mΩ。器件采用高电流传导设计，适用于大电流开关应用，可有效降低导通损耗，提升系统效率。其低电阻特性使其适合用于高功率密度电源转换电路，如同步整流模块、直流电机驱动及电池供电设备中的功率控制。在需要高效能、低发热的电子系统中表现出良好的电气性能与可靠性。
