HESDNC15VB2I-A_SOT-23_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/圆盘 参数1：IPP:5A 参数2：VRWM:15V 参数3：CJ:18pF 参数4：LINE:2-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该静电与浪涌保护器件为双通道双向设计，反向截止电压（VRWM）为15V，结电容低至18pF，适合高频信号线路的瞬态干扰抑制。单通道峰值脉冲电流（IPP）为5A，具备优异的瞬态能量吸收能力，可有效防护静电放电（ESD）及电快速瞬变脉冲群（EFT）等过压事件。双向导通特性支持正负向浪涌保护，适用于通信接口、便携式设备及通用电子模块中的双线信号路径，满足IEC61000-4-2等电磁兼容标准要求。
