HESDHC15VU2RF-A_DFN2X2-3L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN2X2-3L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/圆盘 参数1：IPP:180A 参数2：VRWM:15V 参数3：CJ:900pF 参数4：LINE:2-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该静电和浪涌保护器件采用单向设计，具备15V的反向截止电压（VRWM）和高达180A的峰值脉冲电流（IPP）承受能力，可有效抑制瞬态过压事件。器件集成双通道保护电路，每通道典型结电容为900pF，对高速信号传输影响较小。适用于需要防范静电放电（ESD）和电气快速瞬变（EFT）干扰的接口电路，常用于通信端口、数据线及敏感电子元件的防护设计，确保系统在恶劣电磁环境下的稳定运行。
