HXYT60N120MP_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：集电极电流(Ic):60A 参数2：集射极击穿电压(Vces):1200V 参数3：集射极饱和电压(VCE(sat)):1.65V 参数4：二极管正向电流(IF):60A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT具备1200V集射极击穿电压，可承受较高电压应力，适用于高功率转换场合。集电极电流为60A，集射极饱和电压为1.65V，具备较低的导通损耗。内置续流二极管，正向电流与集电极电流匹配，达60A，正向压降为2.35V，有助于提升续流效率。器件在高电压、大电流条件下表现出良好的开关特性与导通性能，适用于需要直流到交流或交流到直流电能转换的装置，如电源逆变、电机驱动与能量回馈系统等场景。
