HXYS63N120MPI_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:63A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:32mR 参数4：VGS:15V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有1200V的漏源击穿电压（VDSS），适用于高电压工作环境，支持63A的连续漏极电流（ID），具备较强电流承载能力。其导通电阻（RDON）低至32mΩ，可显著降低导通损耗，提升系统能效。栅源电压（VGS）为15V，驱动电压适中，兼容常见驱动电路。得益于碳化硅材料特性，器件具有优异的开关速度与高温工作稳定性，常用于高功率密度电源转换系统、可再生能源发电装置及高压直流配电模块中的开关与调节功能。
