HXY30P06NF_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:30A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:24mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这是一款P沟道场效应管（MOSFET），具有60V的漏源电压（VDSS）和20V的栅源电压（VGS）能力，适合中等电压电源管理应用。其连续漏极电流（ID）可达30A，导通电阻低至24mΩ，在高电流条件下可有效降低导通损耗，提升系统效率。低RDON特性有助于减少发热，提高功率转换的稳定性。该器件适用于开关电源、直流负载控制、电池供电设备的电源切换以及高侧或低侧驱动电路，作为高效的功率开关使用，尤其适合对导通损耗敏感的紧凑型电子装置。
