HXY33N10P_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:33A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:30mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管具有100V漏源电压（VDSS）和33A连续漏极电流（ID），导通电阻低至30mΩ，有效减少导通损耗，提升系统效率。栅源电压范围为±20V，支持标准驱动电平。器件具备优良的开关特性和热性能，适用于中压大电流功率转换场景，如高密度开关电源、同步整流模块、电动设备电源管理单元及高效DC-DC变换器。其低电阻与高电流能力有助于简化散热设计，适合对能效和功率密度有要求的高性能电子系统应用。
