HESDHC3V3U2I-B_SOT-23_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/圆盘 参数1：IPP:20A 参数2：VRWM:3.3V 参数3：CJ:120pF 参数4：LINE:2-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该静电与浪涌保护器件采用单向设计，具备2通道保护功能，适用于需要直流电压防护的电路。其反向工作电压（VRWM）为3.3V，可兼容低电压逻辑接口；20A的峰值脉冲电流（IPP）能力提供较强的瞬态过压吸收性能。结电容为120pF，适用于中等速率信号线路的保护。器件通过快速响应外部瞬态干扰，限制过电压以保护后级电路，常用于通信端口、数据传输接口及便携式电子设备中对敏感元件的防护设计。
