HXYT40N120MP_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：集电极电流(Ic):40A 参数2：集射极击穿电压(Vces):1200V 参数3：集射极饱和电压(VCE(sat)):1.7V 参数4：二极管正向电流(IF):40A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT模块具有40A的集电极连续电流能力，集射极击穿电压达1200V，适用于高电压耐受需求的功率转换场合。其集射极饱和电压为1.7V，在额定工况下导通损耗较低，有助于提升系统能效。模块内置反并联二极管，可承载40A正向电流，二极管正向压降为1.85V，具备良好的续流性能。该器件结合了较高的电压阻断能力与稳定的通态特性，适用于大功率开关电源、高压逆变装置、可再生能源发电系统及大电流电机驱动单元，能够在高频开关与高温环境下提供可靠的功率控制功能。
