HESDHC5VB1AF-A_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：IPP:100A 参数2：VRWM:5V 参数3：CJ:200pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该ESD保护二极管为单通道双向设计，适用于低电压信号线路的瞬态过压防护。其反向工作电压（VRWM）为5V，可兼容多种常用逻辑电平。器件具备100A的峰值脉冲电流（IPP）承受能力，能有效吸收和泄放静电等瞬态能量。200pF的结电容（CJ）表明其适用于中低速信号接口，可为数据端口、控制引脚等提供可靠的静电放电（ESD）和电性快速瞬时（EFT）防护，防止敏感电路因瞬态电压而发生功能异常或损坏，确保系统在复杂电磁环境下的稳定性。
