HXYY10N70D_TO-252-2L_氮化镓晶体管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：氮化镓晶体管(GaN HEMT) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:10A 参数2：VDSS:700V 参数3：RDON:160mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该氮化镓晶体管为N沟道增强型高电子迁移率晶体管（HEMT），具备10A的连续漏极电流（ID）和700V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻低至160mΩ。该器件利用氮化镓材料的高电子迁移率特性，实现更快的开关速度与更高的功率转换效率。适用于高频率、高效率的电源转换应用，如开关模式电源、DC-DC变换器、无线充电模块及高密度电源适配器等场景，有助于减小无源器件尺寸并提升系统整体能效。
