HC3D40065D_TO-247_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅二极管 最小包装：30/管装 参数1：IF:40A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.35V 参数4：IR:40uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅肖特基二极管采用共阴极双管配置，具备40A的连续正向电流能力与300A的峰值浪涌电流承受力，适用于高功率密度电源设计。其650V的反向耐压满足高压应用需求，1.35V的低正向导通压降有效降低导通损耗，提升系统效率。在高温或高频工作环境下，反向漏电流典型值仅为40µA，表现出优异的阻断特性与稳定性。器件利用碳化硅材料优势，实现快速开关响应，减少能量损耗，适用于高效率开关电源、可再生能源转换及储能系统中的整流与续流环节。
