HESDNC12VB2I-D_SOT-23_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/圆盘 参数1：IPP:10A 参数2：VRWM:12V 参数3：CJ:35pF 参数4：LINE:2-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该器件为双通道双向静电与浪涌保护二极管，专为敏感电子线路设计。其反向工作电压（VRWM）为12V，满足常见低电压信号接口的防护需求。在8/20μs电流波形下，通流能力（IPP）可达10A，具备较强的瞬态过压承受能力。结电容（CJ）典型值为35pF，可有效减少对高速信号传输的干扰。双向结构使其适用于交变信号或无法确定极性的电路，为通信端口、数据线路及外围接口提供可靠的过压保护方案。
