HXY10H03S_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:11.5A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:10mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该NN沟道场效应管采用双MOSFET设计，单颗导通电阻低至10mΩ，有效降低导通损耗。其30V的漏源耐压和20V栅源电压范围支持稳定工作，最大连续漏极电流可达11.5A，适用于高效率电源转换与负载开关应用。器件具备优异的开关特性与热稳定性，适合用于同步整流、DC-DC变换模块及电机驱动电路中，满足高性能电路对低功耗与高密度布局的需求。
