HXY4606BS_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:6A 参数2：VDSS:20V 参数3：RDON:20mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该NP沟道场效应管为双沟道集成器件，包含N沟道与P沟道MOSFET，分别支持6A连续漏极电流。N沟道与P沟道的漏源电压均为20V，栅源电压最高达20V，导通电阻低至20mΩ。该结构适用于互补对称电路设计，如H桥驱动、推挽式输出及同步整流应用。器件可用于便携式电子设备的电源管理模块、直流电机控制、双向开关及低电压DC-DC转换电路，能够实现高效的双向功率控制与紧凑的电路布局，满足对空间和能效有要求的中低功率系统设计。
