HXY90P03NF_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:90A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这是一款P沟道场效应管，具有30V的漏源电压（VDSS）和20V的栅源电压（VGS）能力，最大连续漏极电流可达90A，适用于中高功率开关应用。其导通电阻低至3.5mΩ，在同类器件中表现出较好的导电性能，有助于减少工作时的热量积聚。该器件适用于需要高效能功率控制的电路设计，如电源管理模块、直流电机驱动以及负载开关电路，能够满足对空间和能效有较高要求的电子产品设计需求。
