HXY4886DF_DFN3X3B-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3B-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:17mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该NN沟道场效应管具有20A的漏极连续电流（ID）和40V的漏源电压（VDSS），支持±20V栅源电压，单管导通电阻低至17mΩ。双N沟道设计可实现对称开关特性，适用于需要双向控制或并联工作的电路架构。低RDON有助于降低功率损耗，提高能效表现。器件适合用于高效率DC-DC变换器、同步整流模块、便携式设备电源管理及大电流负载驱动等应用，满足对热性能与空间布局有较高要求的电子产品设计。
