HESDUC5VB1GF-C_DFN0603-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN0603-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：15000/圆盘 参数1：IPP:4A 参数2：VRWM:5V 参数3：CJ:0.55pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该器件是一款单通道双向静电与浪涌保护二极管，具备4A的峰值脉冲电流承受能力，可有效抑制瞬态过电压。其反向工作电压为5V，结电容低至0.55pF，适用于高速信号线路的防护，能减少信号衰减并保持传输完整性。器件在正常工作状态下呈现高阻态，当遭遇静电放电或浪涌干扰时迅速导通，将瞬态能量泄放至地，保护后级敏感电路。典型应用包括高速数据接口、通信端口及便携式电子设备的信号线保护。
