HXY3400I-SW_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:4.5A 参数2：VDSS:20V 参数3：RDON:25mR 参数4：VGS:12V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有20V漏源电压（VDSS）和12V栅源电压（VGS），在VGS=12V时导通电阻为25mΩ，最大连续漏极电流（ID）达4.5A。低RDSON有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。适用于高密度电源管理系统，如便携式电子设备的开关电源、同步整流电路及电池供电系统的负载开关。其快速开关响应和良好的热稳定性，适合用于对能效和空间布局有要求的高频功率转换应用，支持紧凑型电源设计的性能需求。
