HXYG80N10NF_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:6.4mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有100V漏源电压额定值，可承载80A连续漏极电流，导通电阻低至6.4mΩ，栅源电压最大支持20V。低RDSON显著减少导通损耗，提升系统能效。器件具备优良的开关速度与热稳定性，适用于高电流密度的直流-直流转换电路。其参数特性适合用于高性能电源管理模块、大功率适配器及储能系统的功率控制单元。在需要高效能、低发热与紧凑布局的电子设计中，可作为关键开关元件实现可靠的电力转换功能。
