HXY4N50D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:4A 参数2：VDSS:500V 参数3：RDON:2400mR 参数4：VGS:30V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备500V高漏源耐压，连续漏极电流为4A，导通电阻为2400mΩ，在30V栅源电压下可实现稳定开关控制。器件适用于高压功率开关应用，具备良好的热稳定性和击穿裕量。其高耐压特性适合用于离线式电源转换电路，如反激变换器、高压侧开关及直流高压负载的驱动控制。典型应用场景包括开关电源的功率级、高压LED照明驱动、适配器中的主开关管以及需要直接接入高压母线的功率控制模块，满足对电气隔离与安全裕度要求较高的设计需求。
