HXYT75N65MP_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：集电极电流(Ic):75A 参数2：集射极击穿电压(Vces):650V 参数3：集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V 参数4：二极管正向电流(IF):75A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT具备75A的集电极连续电流能力，可承受最高650V的集射极电压，适用于中高功率开关场景。其导通状态下集射极饱和电压典型值为1.6V，配合反并联二极管1.6V的正向压降，有助于降低导通损耗。二极管额定正向电流为75A，与主电流匹配良好，保障续流过程稳定。该器件适用于需要高效能功率转换的应用，如电源系统、电机驱动与逆变装置，支持高频开关操作，具备良好的热稳定性与可靠性。
