HXYS7N120MP_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:7A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:320mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有1200V的漏源击穿电压，支持7A的连续漏极电流，导通电阻为320mΩ。采用碳化硅材料，具备优异的开关特性和高温稳定性，可有效降低开关损耗与系统热耗散。其高耐压与紧凑设计适合对空间和能效有要求的电力电子电路。典型应用场景涵盖高压直流变换器、高性能电源模块以及可再生能源发电系统的功率转换环节，适用于追求高效率与长期运行稳定性的电路设计方案。
