HESDNC8VB1AF-A_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：IPP:6A 参数2：VRWM:8V 参数3：CJ:10pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该ESD保护器件采用单通道双向设计，适用于对极性变化瞬态电压的防护。反向工作电压（VRWM）为8V，可兼容多种低压信号线路的保护需求。10pF的低结电容有助于维持高速信号完整性，减少传输失真。在6A峰值脉冲电流（IPP）条件下具备良好箝位能力，能有效吸收静电放电和瞬态浪涌能量。双向结构使其可应对正负双向瞬态干扰，常用于通信接口、便携设备及消费类电子产品中的信号线保护，提升系统可靠性。
