HXY10N65D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:10A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:720mR 参数4：VGS:30V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和10A的连续漏极电流（ID），适用于中高功率开关场景。其720mΩ的低导通电阻（RDS(ON)）有助于减少导通损耗，提升系统效率。栅源电压范围为±30V，具备较好的驱动兼容性与稳定性。器件结合高耐压与适度电流能力，常用于电源转换拓扑，如AC-DC变换器、DC-DC转换器及高压开关电路，适用于对能效和空间布局有要求的电力电子设备。
