HXYS18N120MPI_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:17.9A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备1200V的漏源击穿电压（VDSS）和20V的栅源电压范围（VGS），可持续承载17.9A的漏极电流（ID）。其导通电阻低至160mΩ，有效降低导通损耗，提升系统能效。得益于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温稳定性和快速开关能力，适用于高频率、高电压的功率转换场合。典型应用包括高压电源模块、可再生能源逆变装置及高效DC-AC转换电路，适合对功率密度和热管理有较高要求的设计场景。
