HXYT160N65MPC_TO-247P_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247P 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：集电极电流(Ic):160A 参数2：集射极击穿电压(Vces):650V 参数3：集射极饱和电压(VCE(sat)):1.37V 参数4：二极管正向电流(IF):160A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT模块具有160A的集电极连续电流能力，集射极击穿电压达650V，适用于较高功率等级的电力转换应用。其集射极饱和电压为1.37V，在高负载条件下具备较低的导通损耗，有助于提升整体能效。内部集成的反并联二极管可承载160A正向电流，正向压降为1.33V，支持高效续流操作。该器件适用于大功率逆变电路、开关电源模块、电机驱动系统及能量变换装置，能够满足对电流承载能力与热稳定性要求较高的设计需求，适用于需要高功率密度和可靠开关性能的场合。
