HXY70P02NF_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:18V 参数3：RDON:4.2mR 参数4：VGS:12V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这是一款P沟道场效应管（MOSFET），具有18V的漏源电压（VDSS）和12V的栅源电压（VGS）能力，适用于中低电压开关场景。其连续漏极电流（ID）可达70A，导通电阻（RDON）低至4.2mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。低RDON特性使其在大电流应用中发热量较小，适合对热性能有要求的电路设计。该器件适用于电源管理、直流负载开关、电池供电设备中的逆极性保护以及高侧开关等应用，为需要高效、紧凑功率控制的电子系统提供可靠的解决方案。
