HXY4614BS_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:6A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:26mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该场效应管采用NP沟道集成设计，具备6A的连续漏极电流能力，漏源耐压达40V，适用于中等功率开关与电源转换应用。其导通电阻低至26mΩ，可有效减少导通损耗，提升系统效率。栅源最大电压为20V，兼容多种驱动电路设计，增强使用灵活性。N沟道与P沟道组合结构便于构建对称电路拓扑，常用于同步整流、H桥驱动、直流负载切换及便携式电子设备的电源管理模块，有助于简化外围设计并提高响应速度。
