MBR0560T1G_SOD-123_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOD-123 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:0.5A 参数2：VR:60V 参数3：VF:0.7V 参数4：IR:80uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管具有0.5A的平均整流电流（IF）和60V的最大反向电压（VR），正向导通压降（VF）典型值为0.7V，有助于降低功耗并提升能效。在反向偏置条件下，漏电流（IR）低至80μA，可有效减少静态损耗。器件能承受最高5.5A的峰值浪涌电流（IFSM），具备良好的瞬态过载能力。其特性适用于电源整流、DC-DC转换、反向极性保护及高频开关电路，适合对效率和可靠性有要求的低电压应用场景。
