HXY60P03D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.2mR 参数4：VGS:25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该P沟道场效应管具有30V的漏源耐压（VDSS）和25V的栅源电压范围（VGS），可承受最高60A的连续漏极电流（ID）。其导通电阻（RDON）低至7.2mΩ，在同类器件中表现出优异的导通性能，有助于降低功率损耗并提升系统效率。P沟道结构适用于高边开关及电源管理应用，能够简化栅极驱动电路设计。该器件广泛用于各类电子设备的电源控制、负载开关及电池供电系统中，满足对高可靠性和紧凑设计的需求。
