HXYY17N65NF_DFN5X6E-8L_氮化镓晶体管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6E-8L 类别：氮化镓晶体管(GaN HEMT) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:17A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:100mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该氮化镓晶体管为N沟道增强型高电子迁移率器件，具备650V的漏源击穿电压（VDSS），可持续承载17A的漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为100mΩ。基于氮化镓材料的宽禁带特性，器件具有优异的开关速度与导通性能，适用于高频率、高效率的功率转换场景。典型应用包括高频开关电源、高效AC-DC与DC-DC转换模块、无线充电发射端电路及高密度电源适配器，有助于提升系统功率密度并降低热损耗。
