HXYS6N170T6_TO-263-7L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263-7L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:6.7A 参数2：VDSS:1700V 参数3：RDON:700mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有1700V的高漏源电压（VDSS）和6.7A的连续漏极电流（ID）能力，适用于高压、高效率开关应用。其导通电阻（RDON）为700mΩ，在同类高压器件中具备较低的导通损耗。碳化硅材料特性使其在高频、高温环境下仍能保持稳定性能。该器件适用于高压电源转换系统，如大功率开关电源、可再生能源发电中的直流变换模块、储能系统的功率调节电路，以及对能效和功率密度有较高要求的电力电子拓扑结构。
