HXYT15N65F_TO-220F_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：IGBT管/模块 最小包装：50/管装 参数1：集电极电流(Ic):15A 参数2：集射极击穿电压(Vces):650V 参数3：集射极饱和电压(VCE(sat)):1.79V 参数4：二极管正向电流(IF):15A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT器件具备15A的集电极连续电流能力，可承受最高650V的集射极电压，适用于中高功率开关场景。其集射极饱和电压为1.79V，在额定工况下导通损耗可控，有助于提升系统能效。内置反并联二极管具有15A正向电流承载能力，正向压降为1.68V，可有效支持续流需求。该器件适用于各类电力变换装置，如逆变电源、开关电源及电机驱动电路，能够满足对高可靠性与稳定电气性能要求较高的应用。
