HXY3139AF3_DFN1006-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：10000/圆盘 参数1：ID:0.8A 参数2：VDSS:20V 参数3：RDON:350mR 参数4：VGS:12V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该P沟道场效应管具有-20V的漏源电压（VDSS）和-0.8A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(ON)）典型值为350mΩ，在栅源电压（VGS）为-12V时表现稳定。器件适用于低电压开关应用，可用于电源管理电路中的极性保护、负载开关或电池供电设备中的信号通断控制。其较小的导通电阻有助于降低功耗，提高系统能效，适合对空间和效率有要求的便携式电子产品。
