HXY2301BI_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:2.8A 参数2：VDSS:20V 参数3：RDON:80mR 参数4：VGS:8V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该P沟道场效应管具有20V的漏源电压（VDSS）和8V的栅源电压（VGS），持续漏极电流可达2.8A，导通电阻典型值为80mΩ。低导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统效率。器件适用于直流电机驱动、电源开关及电池供电设备中的负载控制与电源管理。其20V耐压适合中低电压应用，8V栅压设计便于与常见逻辑电平匹配，实现高效的开关操作。
