HESDNC20VU2I-A_SOT-23_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/圆盘 参数1：IPP:8A 参数2：VRWM:20V 参数3：CJ:90pF 参数4：LINE:2-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该静电和浪涌保护器件为双通道单向设计，反向截止电压（VRWM）为20V，峰值脉冲电流（IPP）可达8A，具备90pF的结电容。较低的结电容使其适用于高速信号线路，能有效抑制正向瞬态过电压。器件响应迅速，用于保护敏感电路免受静电放电（ESD）及浪涌事件影响。典型应用涵盖通信接口、消费类电子产品及便携设备中的电源轨与数据线防护，尤其适合多路信号传输路径中对信号完整性要求较高的场景，提供稳定可靠的瞬态电压抑制能力。
