HXY10N06S_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:10A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:28mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有60V漏源击穿电压和28mΩ导通电阻，在10A连续漏极电流下具备较低的导通损耗。栅源额定电压为±20V，支持稳定的栅极驱动控制，适用于中等功率开关应用。器件表现出良好的开关速度与热性能，可用于DC-DC电源转换、电池供电设备中的功率调节以及高边或低边开关电路，满足对效率和可靠性要求较高的便携式电子系统和通用电源管理场景的设计需求。
