HESDHC7V5U2RF-A_DFN2X2-3L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN2X2-3L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/圆盘 参数1：IPP:240A 参数2：VRWM:7.5V 参数3：CJ:1700pF 参数4：LINE:2-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该静电和浪涌保护器件为单向双通道设计，具备7.5V的反向截止电压（VRWM），可有效保护后级电路免受瞬态高压损害。其通流能力达240A（IPP），结电容为1700pF，适用于对信号完整性有一定要求的中低速数据接口。器件能快速响应并泄放静电及浪涌能量，适用于多类型电子设备中的电源端口及信号线路保护，确保系统在复杂电磁环境下的稳定运行。
