HXYS81N120MPI_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:81A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:21mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备1200V的漏源击穿电压，可承受高达81A的连续漏极电流，导通电阻仅为21mΩ，有效降低导通损耗。基于碳化硅材料的特性，器件具有优异的开关性能和高温工作能力，适用于高功率密度电源转换场合。其低寄生参数设计有助于提升系统效率，减少散热需求。典型应用包括高效直流变换模块、高压电源系统及可再生能源发电中的功率调节单元，适合对能效和可靠性要求较高的电力电子设计。
