HXY10P06MIS_SOT-223_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-223 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：1000/圆盘 参数1：ID:10A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:72mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该P沟道场效应管具备60V的漏源电压（VDSS）和10A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至72mΩ（RDS(ON)），有助于降低功率损耗，提升系统能效。栅源电压范围为±20V，支持稳定的栅极驱动控制。作为P沟道器件，其在高边开关和负载切换应用中具备电路设计简洁的优势。适用于各类电源管理模块、便携式设备电源控制、电池供电系统及直流负载的开关驱动，广泛用于需要高效、紧凑功率开关解决方案的电子装置中。
