HXYT50N120MPC_TO-247P_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247P 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：集电极电流(Ic):50A 参数2：集射极击穿电压(Vces):1200V 参数3：集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V 参数4：二极管正向电流(IF):50A 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该IGBT具备50A的集电极电流和1200V的集射极击穿电压，适用于高电压、大电流工作环境。其集射极饱和电压为1.9V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置反并联二极管具有50A正向电流能力，正向压降为2.7V，可有效支持续流和能量回馈操作。该器件适用于中高功率电力变换装置，如逆变电源、开关电源、太阳能逆变系统及电机驱动单元，能够满足对热稳定性与开关性能要求较高的应用场景。
