HXYT140N120MPC_TO-247P_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247P 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：集电极电流(Ic):140A 参数2：集射极击穿电压(Vces):1200V 参数3：集射极饱和电压(VCE(sat)):1.55V 参数4：二极管正向电流(IF):140A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT模块具有140A的集电极电流承载能力，集射极击穿电压高达1200V，适用于高电压工作环境。其集射极饱和电压为1.55V，配合额定140A的反并联二极管（正向压降2.01V），可支持大电流双向导通需求。器件具备较强的耐压与热稳定性，适用于高压直流变换、逆变电源及大功率能量管理系统中的开关与续流环节，能够满足对效率和可靠性要求较高的电力电子拓扑结构应用。
