HESDHC3V3U1AF-A_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：IPP:7.5A 参数2：VRWM:3.3V 参数3：CJ:100pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该TVS二极管为单通道单向设计，具备7.5A的峰值脉冲电流承受能力，适用于瞬态过电压防护。反向工作电压为3.3V，结电容为100pF，适合保护高速数据接口和低电压电路。单向结构可有效抑制正向过压事件，常用于电源轨、USB接口及敏感模拟或数字线路的静电放电（ESD）和浪涌保护，满足消费类电子与通信设备中对信号完整性和元器件可靠性的防护需求。
