HXY14N50MPS_TO-247S_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247S 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:14A 参数2：VDSS:500V 参数3：RDON:430mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备500V的漏源耐压（VDSS）和20V的栅源电压范围（VGS），可承受持续漏极电流达14A（ID），导通电阻典型值为430mΩ。器件采用高压设计，适用于开关电源、DC-AC逆变电路及高效率功率转换系统。其较低的导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体能效。广泛用于需要高电压工作能力与稳定电流控制的电子设备中，适合在紧凑型电源模块和高密度电路设计中实现高效开关功能。
