HXYS22N90MP_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:22A 参数2：VDSS:900V 参数3：RDON:120mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有900V的漏源击穿电压，支持22A的连续漏极电流，导通电阻为120毫欧。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的高频开关能力与高温稳定性，可显著降低开关损耗，提升系统能效。适用于高密度电源转换设计，如大功率开关电源、高压DC-DC变换器及高效逆变装置，尤其适合对散热性能和转换效率要求较高的紧凑型电力电子系统。
