HXY20N04D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:25mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有40V的漏源耐压（VDSS）和20V的栅源电压范围（VGS），可承受连续漏极电流（ID）达20A，导通电阻（RDON）低至25mΩ，有助于减少功率损耗并提升系统效率。器件适用于中高功率开关应用，如电源转换模块、直流电机驱动电路以及电池供电设备中的功率控制单元。其低导通电阻与较高电流能力使其在紧凑型设计中表现出良好的热稳定性和电性能，适合对能效和空间布局有要求的嵌入式电子系统使用。
