HXY12N10D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:12A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:95mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备100V漏源电压（VDSS）和20V栅源电压（VGS）耐受能力，适用于中等电压功率控制场景。其导通电阻（RDON）低至95mΩ，在12A连续漏极电流（ID）下可有效降低导通损耗，提升系统能效。器件具有良好的开关特性和热稳定性，常用于直流电源管理、电池供电设备的功率切换、LED驱动电路以及各类消费类电子产品的开关电源模块中，适合对导通电阻和空间布局有较高要求的紧凑型高效率功率设计。
