HXY4009S_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:9A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:12mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有40V的漏源耐压（VDSS）和20V的栅源电压范围（VGS），适合中等电压开关应用。其连续漏极电流（ID）可达9A，导通电阻低至12mΩ，在高电流工作条件下可有效降低导通损耗，提升系统效率。器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和开关特性，适用于电源管理、直流电机驱动、电池供电设备及各类高密度功率转换电路，是实现高效能开关控制的优选器件之一。
